半導体・FPD製造技術-条件出し／月給30万円以上／山梨県のエンジニア転職・求人情報
半導体・FPD製造技術-条件出し／月給30万円以上／山梨県のエンジニア転職・求人情報は4件。勤務地や職種、こだわり条件からあなたに合った求人情報を掲載しています。
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半導体・FPD製造技術-条件出し,山梨県,月給30万円以上
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4件（1〜4件表示）
- 仕事内容
- 化合物半導体デバイス（GaN HEMT）を中心としたウェハプロセス開発および技術開発を担当いただきます。 <具体的には> ・GaN HEMTのウエハプロセス開発（成膜/エッチング/アニール等の工程条件検討、工程レシピ作成、試作ウェハ評価） ・多層配線技術開発（電極材料選定、層間絶縁膜形成、平坦化工程の条件出し、段差影響の確認） ・放熱・実装に関するプロセス開発（基板研削、ビア加工、チップ分離加工、裏面金属形成条件の検討） ・受動素子（キャパシタ/インダクタ/抵抗）の形成プロセス開発（パターニング条件、膜厚・電極形成条件の最適化） ・プロセス結果の技術資料化（断面/外観観察、膜厚・抵抗/電気特性の整理、次工程へのフィードバック反映）/【担当製品】(半導体関連)半導体ウエハ
- 勤務地
- 山梨県中巨摩郡昭和町
- 給与
- 月給30万円～55万円＋各種手当＋賞与年2回
【キャリアパス（入社〜3年後まで）】
・1年目→GaN HEMTプロセスの一部工程（成膜/加工/アニール等）と、試作ウェハ評価の主担当範囲を確立
・2年目→多層配線・平坦化、放熱/実装のいずれかを開発主担当化（条件出し〜データ整理まで）
・3年後→受動素子形成と総合評価を含むプロセス連携（電極/絶縁/平坦化/放熱/受動素子）を統括
【職場環境】
・化合物半導体デバイスのウェハプロセス開発を中心に、清浄環境での試作、計測/観察、技術資料化までを同一テーマで進めます。
・多層配線、放熱/実装、受動素子形成など複数の工程を連携させ、課題を工程条件へ戻して改善します。
【魅力・やりがい・身に付くスキル】
・魅力：GaN HEMTから多層配線・放熱実装・受動素子まで、ウェハプロセスとして一連で設計・検証できます。
・やりがい：不具合や性能差の要因を、膜/界面/段差/配線・実装条件へ切り分けて次のレシピに落とし込めます。
・身に付くスキル：化合物半導体プロセス開発、薄膜形成と微細加工、層間絶縁膜/平坦化、多層配線、研削・ビア・裏面金属形成、キャパシタ/インダクタ/抵抗の形成、評価データ整理。
・1年目→GaN HEMTプロセスの一部工程（成膜/加工/アニール等）と、試作ウェハ評価の主担当範囲を確立
・2年目→多層配線・平坦化、放熱/実装のいずれかを開発主担当化（条件出し〜データ整理まで）
・3年後→受動素子形成と総合評価を含むプロセス連携（電極/絶縁/平坦化/放熱/受動素子）を統括
【職場環境】
・化合物半導体デバイスのウェハプロセス開発を中心に、清浄環境での試作、計測/観察、技術資料化までを同一テーマで進めます。
・多層配線、放熱/実装、受動素子形成など複数の工程を連携させ、課題を工程条件へ戻して改善します。
【魅力・やりがい・身に付くスキル】
・魅力：GaN HEMTから多層配線・放熱実装・受動素子まで、ウェハプロセスとして一連で設計・検証できます。
・やりがい：不具合や性能差の要因を、膜/界面/段差/配線・実装条件へ切り分けて次のレシピに落とし込めます。
・身に付くスキル：化合物半導体プロセス開発、薄膜形成と微細加工、層間絶縁膜/平坦化、多層配線、研削・ビア・裏面金属形成、キャパシタ/インダクタ/抵抗の形成、評価データ整理。
- 特徴
- 月給30万円以上
- 経験者優遇
- 自動車通勤OK
- 仕事内容
- 化合物半導体デバイス（GaN HEMT）を中心としたウェハプロセス開発および技術開発を担当いただきます。 <具体的には> ・GaN HEMTのウエハプロセス開発（成膜/エッチング/アニール等の工程条件検討、工程レシピ作成、試作ウェハ評価） ・多層配線技術開発（電極材料選定、層間絶縁膜形成、平坦化工程の条件出し、段差影響の確認） ・放熱・実装に関するプロセス開発（基板研削、ビア加工、チップ分離加工、裏面金属形成条件の検討） ・受動素子（キャパシタ/インダクタ/抵抗）の形成プロセス開発（パターニング条件、膜厚・電極形成条件の最適化） ・プロセス結果の技術資料化（断面/外観観察、膜厚・抵抗/電気特性の整理、次工程へのフィードバック反映）/【担当製品】(半導体関連)半導体ウエハ
- 勤務地
- 山梨県中巨摩郡昭和町
- 給与
- 月給30万円～55万円＋各種手当＋賞与年2回
【キャリアパス（入社～3年後まで）】
・1年目→GaN HEMTプロセスの一部工程（成膜/加工/アニール等）と、試作ウェハ評価の主担当範囲を確立
・2年目→多層配線・平坦化、放熱/実装のいずれかを開発主担当化（条件出し～データ整理まで）
・3年後→受動素子形成と総合評価を含むプロセス連携（電極/絶縁/平坦化/放熱/受動素子）を統括
【職場環境】
・化合物半導体デバイスのウェハプロセス開発を中心に、清浄環境での試作、計測/観察、技術資料化までを同一テーマで進めます。
・多層配線、放熱/実装、受動素子形成など複数の工程を連携させ、課題を工程条件へ戻して改善します。
【魅力・やりがい・身に付くスキル】
・魅力：GaN HEMTから多層配線・放熱実装・受動素子まで、ウェハプロセスとして一連で設計・検証できます。
・やりがい：不具合や性能差の要因を、膜/界面/段差/配線・実装条件へ切り分けて次のレシピに落とし込めます。
・身に付くスキル：化合物半導体プロセス開発、薄膜形成と微細加工、層間絶縁膜/平坦化、多層配線、研削・ビア・裏面金属形成、キャパシタ/インダクタ/抵抗の形成、評価データ整理。
・1年目→GaN HEMTプロセスの一部工程（成膜/加工/アニール等）と、試作ウェハ評価の主担当範囲を確立
・2年目→多層配線・平坦化、放熱/実装のいずれかを開発主担当化（条件出し～データ整理まで）
・3年後→受動素子形成と総合評価を含むプロセス連携（電極/絶縁/平坦化/放熱/受動素子）を統括
【職場環境】
・化合物半導体デバイスのウェハプロセス開発を中心に、清浄環境での試作、計測/観察、技術資料化までを同一テーマで進めます。
・多層配線、放熱/実装、受動素子形成など複数の工程を連携させ、課題を工程条件へ戻して改善します。
【魅力・やりがい・身に付くスキル】
・魅力：GaN HEMTから多層配線・放熱実装・受動素子まで、ウェハプロセスとして一連で設計・検証できます。
・やりがい：不具合や性能差の要因を、膜/界面/段差/配線・実装条件へ切り分けて次のレシピに落とし込めます。
・身に付くスキル：化合物半導体プロセス開発、薄膜形成と微細加工、層間絶縁膜/平坦化、多層配線、研削・ビア・裏面金属形成、キャパシタ/インダクタ/抵抗の形成、評価データ整理。
- 特徴
- 月給30万円以上
- 経験者優遇
- 自動車通勤OK
- 仕事内容
- 半導体製造装置（エッチング装置）の試運転・不具合対応のお仕事です。※クリーンルーム内での作業となります。＜具体的には＞半導体エッチング装置の・配線の調整・各種機器のセットアップ・組立て後の試運転・微調整・検査報告作成 など/【担当製品】(半導体関連)半導体・液晶製造装置（前工程）
- 勤務地
- 山梨県韮崎市
- 給与
- 月給30万円～55万円＋各種手当＋賞与年2回
世界トップの半導体製造装置メーカーによる各種装置の開発・製造・販売を手掛ける企業です。
★今話題の半導体業界で活躍するチャンス！
★当社エンジニアによる請負チームでのお仕事です。
★教育体制が充実しているので安心して業務に携わることが可能です。
★今話題の半導体業界で活躍するチャンス！
★当社エンジニアによる請負チームでのお仕事です。
★教育体制が充実しているので安心して業務に携わることが可能です。
- 特徴
- 月給30万円以上
- 経験者優遇
- 土日休み
- 仕事内容
- 半導体製造装置（エッチング装置）の試運転・不具合対応のお仕事です。※クリーンルーム内での作業となります。＜具体的には＞・配線の調整・各種機器のセットアップ・組立て後の試運転・微調整・検査報告作成 など※経験者限定の募集です/【担当製品】(半導体関連)半導体・液晶製造装置（前工程）
- 勤務地
- 山梨県韮崎市
- 給与
- 月給30万円～55万円＋各種手当＋賞与年2回
世界トップの半導体製造装置メーカーによる各種装置の開発・製造・販売を手掛ける企業です。
◎今話題の半導体業界で活躍するチャンス！
★当社エンジニアによる請負チームでのお仕事です。
★教育体制が充実しており、経験が浅い方でも安心して働けます。
◎今話題の半導体業界で活躍するチャンス！
★当社エンジニアによる請負チームでのお仕事です。
★教育体制が充実しており、経験が浅い方でも安心して働けます。
- 特徴
- 月給30万円以上
- 経験者優遇
- 土日休み
- トップ
- 半導体・FPD製造技術-条件出しのエンジニア転職・求人情報